为在线晶圆厂计量提供高生产率和强大特性
光片和基板的自动缺陷检测
新的300mm光片ADR提供了从缺陷映射的坐标转换和校正到缺陷的测量和放大扫描成像的全自动缺陷复查过程，该过程不需要样品晶片上的任何参考标记，是重映射过程。与扫描电子显微镜（SEM）运行后在缺陷部位留下方形的破坏性辐照痕迹不同，新的帕克 ADR AFM能够实现坐标转换和更强的视觉，利用晶圆边缘和缺口来自动实现缺陷检查设备和AFM之间的连接。由于它是完全自动化的，因此不需要任何单独的步骤来校准目标缺陷检查系统的移动平台，从而将吞吐量增加到1000%。
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基于强大视觉进行自动传送和缺陷映射的校正
利用Park的专有坐标转换技术，新型Park ADR AFM能够将激光散射缺陷检测工具获得的缺陷映射精准地传送到300mm Park AFM系统。
自动搜索 & 放大扫描
缺陷分两步成像；(1)检测成像，通过AFM或增强光学视觉来完善缺陷定位，然后(2)放大AFM扫描来获得缺陷的详细图像，呈现缺陷类型和随后缺陷尺寸的自动分析。
CMP进行表征的长范围轮廓扫描
平坦化是在使用金属和介电材料的后段工艺中特别重要的步骤。化学机械抛光（CMP）后的局部和全局均匀性对芯片制造的产量有很大的影响。精准的CMP轮廓扫描是优化工艺条件、获得高平坦度以及提高生产率的关键计量。
结合Park NX-Wafer的滑动平台，为CMP计量提供了远程轮廓分析能力。由于Park自动化原子力显微镜专有的平台设计，组合系统提供非常平坦的轮廓扫描，并且一般在每次测量之后不需要复杂的背景去除或前处理。Park NX-Wafer实现了高精度CMP测量，包括凹陷、侵蚀和边缘过度侵蚀（EOE）的局部和全局的平坦度测量。
亚埃级表面粗糙度控制
半导体供应商正在开发平坦晶圆，以解决不断缩小元件尺寸的需求。然而，从来没有一个计量工具能够给这些拥有亚埃级粗糙度的衬底表面提供准确和可靠的测量。通过在整个晶圆区域提供低于0.5A的业界低噪声下限，并将其与真正非接触模式相结合，Park NX-Wafer可以对平坦的基底和晶圆进行精准、可重复和可再现的亚埃级粗糙度测量，并精准控制针尖的变量。即使对于扫描尺寸达到100μm×100μm的远距离波度，也能够获得非常准确和可重复的表面测量。
高吞吐量晶圆厂检测和分析
• 自动换针
• 设备前端模块（EFEM）用于自动晶圆传送
• 洁净室兼容性和远程控制接口
• 沟槽宽度、深度和角度测量的自动数据采集和分析
Park NX-Wafer的特征
长范围轮廓仪
长范围轮廓仪是原子力轮廓仪（AFP）的重要组成部分，并且具有用于自动CMP轮廓扫描和分析的专用用户界面。
• 200mm : 10 mm
• 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)
采用闭环双伺服系统的100μm×100μm柔性导向XY扫描器
XY扫描仪由对称的二维挠曲和高-力的压电堆组成，它们提供高度正交的运动，同时具有较小的平面外运动，以及纳米尺度上精准样品扫描所必需的高响应性。两个对称的低噪声位置传感器被结合在XY扫描仪的每个轴上，以便为大扫描范围和样品大小保持高水平的扫描正交性。非线性和非平面位置误差的次级传感器校正和补偿是由单个传感器引起的。
拥有低噪声位置传感器的15μm高速Z扫描器
NX-Wafer通过利用其低噪声Z探测器代替通常使用的非线性Z电压信号，为用户提供高测量精度。行业引领的低噪声Z探测器取代应用Z电压作为形貌信号。由高-力压电堆驱动并由挠性结构引导，标准Z扫描器具有高的谐振频率，能够进行更精准的反馈。Z扫描范围可由15μm扩展到30μm，采用可选的长距离Z扫描仪。
自动测量控制，使您可以获得准确的扫描避免繁琐的工作
NX-Wafer配备了自动化软件，使操作几乎不费吹灰之力只要选择所需的测量程序，就可获得精准的多点分析悬臂调整，扫描速率，增益和设定点参数的优化设置。
Park的用户友好的软件界面为您提供了创建定制操作例程的灵活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以获得所需的测量。
创建新例程很容易。从零开始，大约需要10分钟，或不到5分钟修改现有的一个。
Park NX-Wafer的自动化系统特点:
• 无论是自动模式，半自动模式还是手动模式，都可以迅速掌握
• 每个自动例程的可编辑测量方法
• 对测量过程进行实时监测
• 对获得的测量数据的自动分析